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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 458K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 250V - 0.23ohm - 16A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A | 最大漏极电流 (ID)： | 16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB16NS25T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERL |
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| STB16PF06L | STMICROELECTRONICS |
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P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET |
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| STB16PF06LT4 | STMICROELECTRONICS |
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P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET |
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| STB17-0-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB17-0-1 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB17-0-2 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB17-0-3 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB17-0-4 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB17-0-5 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB17-0-6 | TE |
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STD and STB Markers |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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