STA3350D

更新时间： 2024-01-06 14:46:22

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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6页	373K
描述
PNP Silicon Transistor

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STA3350D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.1 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.35 V	Base Number Matches：	1

STA3350D 数据手册

STA3350D

PNP Silicon Transistor

Applications

• Power amplifier application

PIN Connection

• High current switching application

Features

• Low saturation voltage:

V_CE(sat)=-0.15V Typ. @ I_C=-1A, I_B=-50mA

• Large collector current capacity: I_C=-3A

• “Green” device and RoHS compliant device

• Available in full lead (Pb)-free device

TO-252

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

STA3350D

STA3350

TO-252

Marking Information

STA

3350

Column 1, 2 : Device Code

YWW

Column 3: Year & Week Code

Absolute Maximum Ratings

Characteristic

[Ta=25℃]

Unit

Symbol

Rating

-50

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

V_CBO

V_CEO

-50

V_EBO

-6

I_C

I_CP*

-3

A(DC)

Collector current

-6

A(Pulse)

P_C(Ta= 25°C)

P_C(T_C= 25°C)

T_J

1.2

°C

Collector Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

* : Single pulse, tp= 300 ㎲

Characteristic

150

-55~150

T_stg

Symbol

R_th(J-A)

Typ.

Max

Unit

℃/W

Junction-ambient

Thermal resistance

104.1

8.3

Junction-case

R_th(J-C)

KSD-T6O035-000

12 3 4 5 6

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