STA3350L

更新时间： 2024-02-19 23:07:03

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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6页	325K
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PNP Silicon Transistor

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STA3350L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.1 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.35 V	Base Number Matches：	1

STA3350L 数据手册

STA3350L

PNP Silicon Transistor

Applications

• Power amplifier application

PIN Connection

• High current switching application

Features

• Low saturation voltage:

V_CE(sat)=-0.15V Typ. @ I_C=-1A, I_B=-50mA

• Large collector current capacity: I_C=-3A

1: Emitter 2 :Collector 3: Base

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

STA3350L

STA3350

TO-92L

Absolute Maximum Ratings

[Ta=25℃]

Unit

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

-50

-6

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-3

A(DC)

A(Pulse)

Collector current

I_CP*

-6

Collector Power dissipation(Ta=25°C)

P_C

T_J

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

T_stg

-55~150

°C

* : Single pulse, tp= 300 ㎲

KSD-T0D011-000

12 3 4 5 6

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