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STA3350F

更新时间: 2024-01-30 20:25:00
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 360K
描述
PNP Silicon Transistor

STA3350F 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1.1 W
最大功率耗散 (Abs):1.5 W表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.35 VBase Number Matches:1

STA3350F 数据手册

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STA3350F  
Semiconductor  
PNP Silicon Transistor  
Applications  
Power amplifier application  
High current switching application  
Features  
Low saturation voltage: VCE(sat)=-0.15V Typ. @ IC=-1A, IB=-50mA  
Large collector current capacity: IC=-3A  
Small and compact SMD type package  
Complementary pair with STC4350F  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
STA3350F  
HW7  
SOT-89  
Outline Dimensions  
unit : mm  
3.70~4.30  
2.40~2.70  
1.20 Max.  
3
4
2
1
PIN Connections  
1. Base  
2,4. Collector  
3. Emitter  
KSD-T5B006-000  
1

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