是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BUTTON |
包装说明: | DISK BUTTON, O-MXDB-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.03 | 外壳连接: | ISOLATED |
标称电路换相断开时间: | 100 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 200 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3 V | 最大维持电流: | 600 mA |
JEDEC-95代码: | TO-200AC | JESD-30 代码: | O-MXDB-X4 |
最大漏电流: | 50 mA | 通态非重复峰值电流: | 9000 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
最大通态电流: | 650000 A | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 1230 A | 断态重复峰值电压: | 400 V |
重复峰值反向电压: | 400 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ST330C04L2 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El | |
ST330C04L2L | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El | |
ST330C04L2PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El | |
ST330C04L3LPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-200AC | |
ST330C04L3PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El | |
ST330C06C0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1420A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | |
ST330C06C1PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1420A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | |
ST330C06L0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AC | |
ST330C08C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1420A I(T)RMS, 720000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08C0 | INFINEON |
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PHASE CONTROL THYRISTORS |