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ST303C10CP0P

更新时间： 2024-11-29 15:53:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅栅极
页数 文件大小 规格书
10页 312K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM)

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ST303C10CP0P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75标称电路换相断开时间：18 µs
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：600 mA
最大漏电流：50 mA通态非重复峰值电流：8320 A
最大通态电压：2.16 V最大通态电流：620000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
断态重复峰值电压：1000 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

ST303C10CP0P 数据手册

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ST303CPbF Series  
Vishay High Power Products  
Inverter Grade Thyristors  
(PUK Version), 620 A  
FEATURES  
• Metal case with ceramic insulator  
• All diffused design  
• Center amplifying gate  
• Guaranteed high dV/dt  
RoHS  
COMPLIANT  
• Guaranteed high dI/dt  
• International standard case TO-200AB (E-PUK)  
• High surge current capability  
• Low thermal impedance  
TO-200AB (E-PUK)  
• High speed performance  
• Lead (Pb)-free  
• Designed and qualified for industrial level  
TYPICAL APPLICATIONS  
• Inverters  
PRODUCT SUMMARY  
IT(AV)  
620 A  
• Choppers  
• Induction heating  
• All types of force-commutated converters  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
620  
UNITS  
A
°C  
A
IT(AV)  
Ths  
55  
1180  
IT(RMS)  
ITSM  
I2t  
Ths  
25  
°C  
50 Hz  
60 Hz  
50 Hz  
60 Hz  
7950  
A
8320  
316  
kA2s  
289  
V
DRM/VRRM  
400 to 1200  
10 to 30  
- 40 to 125  
V
tq  
Range  
µs  
°C  
TJ  
Note  
• tq = 10 to 20 µs for 400 to 800 V devices  
tq = 15 to 30 µs for 1000 to 1200 V devices  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
VOLTAGE  
V
DRM/VRRM, MAXIMUM  
V
RSM, MAXIMUM  
IDRM/IRRM MAXIMUM  
TYPE NUMBER  
REPETITIVE PEAK VOLTAGE  
V
NON-REPETITIVE PEAK VOLTAGE AT TJ = TJ MAXIMUM  
CODE  
V
mA  
04  
08  
10  
12  
400  
800  
500  
900  
ST303C..C  
50  
1000  
1200  
1100  
1300  
Document Number: 94373  
Revision: 25-Jul-08  
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与ST303C10CP0P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ST303C10LCJ0 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST303C10LCJ0L INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 515000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
ST303C10LCJ0LPBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST303C10LCJ0P VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 1000V V(DRM), TO-200AC, ROHS COMPLIANT, METAL
ST303C10LCJ0PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST303C10LCJ1 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST303C10LCJ1L VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST303C10LCJ1P VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 1000V V(DRM), TO-200AC, ROHS COMPLIANT, METAL
ST303C10LCJ1P INFINEON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 1000V V(DRM)
ST303C10LCJ1PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A

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