5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BUTTON |
| 包装说明： | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.57 |
| 标称电路换相断开时间： | 25 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JEDEC-95代码： | TO-200AC |
| JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 | 最大漏电流： | 50 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 8320 A | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 515000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST303C10LCJ0PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| ST303C10LCJ1 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| ST303C10LCJ1L | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| ST303C10LCJ1P | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 1000V V(DRM), TO-200AC, ROHS COMPLIANT, METAL |
|
| ST303C10LCJ1P | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 1000V V(DRM) |
|
| ST303C10LCJ1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| ST303C10LCJ2L | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| ST303C10LCJ2P | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 1000V V(DRM) |
|
| ST303C10LCJ2PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| ST303C10LCJ3L | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 995A I(T)RMS, 515000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
