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ST24C02AB6

更新时间: 2024-01-15 17:29:08
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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9页 585K
描述
256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, SDIP-8

ST24C02AB6 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.86
Is Samacsys:N其他特性:1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS
最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz数据保留时间-最小值:10
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010DDDR
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:9.55 mm内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256X8
输出特性:OPEN-DRAIN封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.9 mm串行总线类型:I2C
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.002 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

ST24C02AB6 数据手册

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