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ST24C02AM6

更新时间: 2024-01-27 18:55:50
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 585K
描述
256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SO-8

ST24C02AM6 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:PLASTIC, SO-8针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
其他特性:1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz
数据保留时间-最小值:10耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:5.3 mm
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X8输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.03 mm
串行总线类型:I2C子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.002 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:5.25 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

ST24C02AM6 数据手册

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