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ST173C10CCP2LP

更新时间： 2024-01-13 03:07:17
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅栅极
页数 文件大小 规格书
10页 161K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, LEAD FREE, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3

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ST173C10CCP2LP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84标称电路换相断开时间：15 µs
最大直流栅极触发电流：200 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：600 mA最大漏电流：40 mA
通态非重复峰值电流：4900 A最大通态电压：2.07 V
最大通态电流：330000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：1000 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

ST173C10CCP2LP 数据手册

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ST173CPBF Series  
Vishay High Power Products  
Inverter Grade Thyristors  
(Hockey PUK Version), 330 A  
FEATURES  
• Metal case with ceramic insulator  
• All diffused design  
• Center amplifying gate  
• Guaranteed high dV/dt  
RoHS  
COMPLIANT  
• International standard case TO-200AB (A-PUK)  
• Guaranteed high dI/dt  
TO-200AB (A-PUK)  
• High surge current capability  
• Low thermal impedance  
• High speed performance  
PRODUCT SUMMARY  
TYPICAL APPLICATIONS  
• Inverters  
IT(AV)  
330 A  
• Choppers  
• Induction heating  
• All types of force-commutated converters  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
330  
UNITS  
A
°C  
A
IT(AV)  
Ths  
Ths  
55  
610  
IT(RMS)  
ITSM  
I2t  
25  
°C  
50 Hz  
60 Hz  
50 Hz  
60 Hz  
4680  
A
4900  
110  
kA2s  
100  
V
DRM/VRRM  
1000 to 1200  
15 to 30  
- 40 to 125  
V
tq  
Range  
µs  
°C  
TJ  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
V
DRM/VRRM, MAXIMUM  
V
RSM, MAXIMUM  
IDRM/IRRM MAXIMUM  
AT TJ = TJ MAXIMUM  
mA  
VOLTAGE  
CODE  
TYPE NUMBER  
REPETITIVE PEAK VOLTAGE NON-REPETITIVE PEAK VOLTAGE  
V
V
10  
12  
1000  
1200  
1100  
1300  
ST173C..C  
40  
Document Number: 94366  
Revision: 29-Apr-08  
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与ST173C10CCP2LP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ST173C10CCP2LPBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST173C10CCP2P INFINEON

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 		INVERTER GRADE THYRISTORS
ST173C10CCP2PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST173C10CCP3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 330000mA I(T), 1000V V(DRM)
ST173C10CCP3L INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
ST173C10CCP3LP INFINEON

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 		INVERTER GRADE THYRISTORS
ST173C10CCP3LP VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
ST173C10CCP3LPBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
ST173C10CCP3P INFINEON

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 		INVERTER GRADE THYRISTORS
ST173C10CCP3PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A

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