5秒后页面跳转
ST090S12P PDF预览

ST090S12P

更新时间: 2024-02-29 03:25:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 141A I(T)RMS, 90000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

ST090S12P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.78
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:600 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3最大漏电流:20 mA
湿度敏感等级:1通态非重复峰值电流:2200 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:90000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-30 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:141 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

ST090S12P 数据手册

  

与ST090S12P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ST090S14M INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 141A I(T)RMS, 90000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 El
ST090S14P INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 141A I(T)RMS, 90000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 El
ST090S16P VISHAY

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 141 A, 1600 V, SCR, TO-209AC
ST090S16P INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 141A I(T)RMS, 90000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 El
ST091SM SSDI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
ST093C06CFF INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 345A I(T)RMS, 220000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele
ST093C08CFF INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 345A I(T)RMS, 220000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
ST093C08CFJ INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 345A I(T)RMS, 220000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
ST093C10CFF INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 345A I(T)RMS, 220000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
ST093C10CFJ INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 345A I(T)RMS, 220000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E