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ST090C12C

更新时间: 2024-01-31 06:30:17
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英飞凌 - INFINEON 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 445A I(T)RMS, 225000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB

ST090C12C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.87
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:600 mAJEDEC-95代码:TO-200AB
JESD-30 代码:O-CEDB-N2最大漏电流:20 mA
湿度敏感等级:1通态非重复峰值电流:2200 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:225000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-30 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:445 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

ST090C12C 数据手册

  

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