是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.8 A | 基于收集器的最大容量: | 7 pF |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 250 MHz |
最大关闭时间(toff): | 255 ns | 最大开启时间(吨): | 35 ns |
VCEsat-Max: | 0.6 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SST2907T116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL | |
SST2907T117 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL | |
SST2907T216 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL | |
SST29EE010 | SST |
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1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EE010_00 | SST |
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1 Megabit (128K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EE010_04 | SST |
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1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM | |
SST29EE010_05 | SST |
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1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM | |
SST29EE010-120-3C-E | SST |
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1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM | |
SST29EE010-120-3C-EH | SST |
获取价格 |
1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM | |
SST29EE010-120-3C-N | SST |
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1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |