生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.76 | 最大集电极电流 (IC): | 0.6 A |
基于收集器的最大容量: | 8 pF | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 200 MHz | 最大关闭时间(toff): | 180 ns |
最大开启时间(吨): | 35 ns | VCEsat-Max: | 1.6 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SST2907T117 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL | |
SST2907T216 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL | |
SST29EE010 | SST |
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1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EE010_00 | SST |
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1 Megabit (128K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EE010_04 | SST |
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1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM | |
SST29EE010_05 | SST |
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1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM | |
SST29EE010-120-3C-E | SST |
获取价格 |
1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM | |
SST29EE010-120-3C-EH | SST |
获取价格 |
1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM | |
SST29EE010-120-3C-N | SST |
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1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM | |
SST29EE010-120-3C-NH | SST |
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1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |