Datasheet > SSR24C50CTS.5S

SSR24C50CTS.5S

更新时间： 2024-11-04 18:39:35

品牌	Logo	应用领域
SSDI		高压二极管
页数	文件大小	规格书
3页	109K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 500V V(RRM), Silicon Carbide, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SSR24C50CTS.5S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.33	应用：	HIGH VOLTAGE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON CARBIDE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	12 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	500 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

SSR24C50CTS.5S 数据手册

SSR24C60CT Series

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

24 Amp

Schottky Silicon Carbide

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

Centertap Rectifier

SSR24C 60 CT S.5 TX

Screening^2/

└

300 - 600 Volts

│

└

│

└

│

└

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

 World's Smallest Hermetic SiC Centertap Rectifier

 High Voltage, 600V

 Very High Operating Temperature, 250°C

 No Recovery Time (tfr or trr)

 High Current Operation, 24A

 Hermetically Sealed Packaging

Package S.5 = SMD.5

G = Cerpack

Configuration

CT = Centertap

 TX, TXV, and S Level screening available

Voltage 30 = 300 V

50 = 500 V

60 = 600 V

Maximum Ratings^3/

Symbol

Value

Units

Volts

Amps

SSR24C30

SSR24C50

SSR24C60

300

500

600

Peak Repetitive and Peak Surge Reverse

Voltage

V_RRM

V_RSM

Per Leg

Total

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz, Sine Wave)

Non Repetitive Peak Surge Current

I_FSM

P_D

120

Amps

Watts

°C

(8.3 ms Pulse, Non-repetitive Half Sine Wave, per leg)

Power Dissipation

(T_C= 25°C)

Operating & Storage Temperature ^4/

Top & Tstg

-55 to +250

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

R_θJC

1.9

°C/W

NOTES:

Cerpack (G)

SMD .5 (S.5)

1/ For ordering information, price, operating curves, and availability –

contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on

request.

3/ All electrical characteristics @25 C unless otherwise specified.

4/ If high temp operation is desired (>175°C) consult factory for soldering

consideration.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RS0020J

DOC

12 3

中文翻译

下载PDF

与SSR24C50CTS.5S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSR24C50CTS.5TV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 500V V(RRM), Silicon Carbide, HERMETIC
SSR24C50CTS.5TX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SSR24C50CTS.5TXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 500V V(RRM), Silicon Carbide, HERMETIC
SSR24C50GCT	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SSR24C50GCTS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SSR24C50GCTTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SSR24C50S.5CTS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SSR24C50S.5CTTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SSR24C60	SSDI	获取价格	24 AMP 600 VOLTS SCHOTTKY SILICON CARBIDE CENTER TAP RECTIFIER
SSR24C60CAJ	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257,

与SSR24C50CTS.5S相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

31
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SSR24C50CTS.5S

SSR24C50CTS.5S 技术参数

SSR24C50CTS.5S 数据手册

与SSR24C50CTS.5S相关器件

与SSR24C50CTS.5S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SSR24C50CTS.5S

SSR24C50CTS.5S 技术参数

SSR24C50CTS.5S 数据手册

与SSR24C50CTS.5S相关器件

与SSR24C50CTS.5S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？