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SSR2010DRJDBS

更新时间： 2024-01-07 04:25:18

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Rectifier Diode,

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SSR2010DRJDBS 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254
包装说明：	HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-254
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE

SSR2010DRJDBS 数据手册

SSR2010

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

20 AMP

100 VOLTS

SCHOTTKY RECTIFIER

Designer’s Data Sheet

FEATURES:

• PIV: 100 Volts

• Low Forward Voltage Drop

• Low Reverse Leakage

• Hermetically Sealed Power Surface Mount

Package

• Guard Ring for Overvoltage Protection

• Eutectic Die Attach

• 175^°C Operating Junction Temperature

• TX, TXV, or Space Level Screening Available

SMD1

MAXIMUM RATINGS

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

Peak Repetitive Reverse Voltage and DC

Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

100

Volts

SSR2010

Average Rectified Output Current ^1/

(Resistive Load, 60Hz, Sine Wave, TA=25^°C)

Peak Surge Current ^1/

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave superimposed on

I_O, allow junction to reach equilibrium between

pulses, TA=25^°C)

I_O

Amps

I_FSM

300

Operating and Storage Temperature

T_OP& T_STG

-65 to +175

0.8

^°C

Maximum Thermal Resistance ^1/

Junction to Case

R_θJC

^°C/W

Notes: 1/ Both Anode Terminals (1, 3) Tied Together.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: RS0081D

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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SSR2010DZ	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETICALLY SEA
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