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| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM5G04TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-353VAR |
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| SSM5G06FE | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ESV, 5 PIN, FET General Purp |
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| SSM5G06FE(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-353VAR |
|
| SSM5G06FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-353VAR |
|
| SSM5G06FE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-353VAR |
|
| SSM5G06FE(TPL3,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-353VAR |
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| SSM5G09TU | TOSHIBA |
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DC-DC Converter |
|
| SSM5G09TU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,1.5A I(D),SOT-353VAR |
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| SSM5G10TU | TOSHIBA |
获取价格 |
DC-DC Converter Applications |
|
| SSM5G10TU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1.5A I(D),SOT-353VAR |
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