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SSM5G06FE(TE85L,F)

更新时间： 2024-09-25 19:55:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
8页 275K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-353VAR

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SSM5G06FE(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.61配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：100 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SSM5G06FE(TE85L,F) 数据手册

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SSM5G06FE  
Silicon P-Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode  
SSM5G06FE  
DC-DC Converter Applications  
Unit: mm  
•
•
Combined a P-channel MOSFET and a schottky barrier diode in one  
package.  
1.6±0.05  
1.2±0.05  
Optimum for high-density mounting in small packages  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) MOSFET  
1
2
5
4
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
−20  
±10  
V
V
DSS  
Gate-Source voltage  
GSS  
3
DC  
I
−100  
−200  
150  
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
(Note 2)  
(Note 1)  
DP  
Power dissipation  
P
mW  
D
Channel temperature  
T
ch  
150  
°C  
1：Gate  
4：Cathode  
2：Source 5：Drain  
3：Anode  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) SBD  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
ESV  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
15  
12  
V
V
RM  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
V
R
Average forward current  
I
100  
mA  
O
TOSHIBA  
2-2P1C  
Peak one cycle surge forward  
current(10ms)  
I
1 (50 Hz)  
125  
A
FSM  
Weight: 3 mg (Typ.)  
Junction temperature  
T
j
°C  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) MOSFET, SBD COMMON  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55 to 125  
−40 to 100  
°C  
°C  
stg  
T
(Note3)  
opr  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note1: Total rating. Mounted on an FR4 board. (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.135 mm2 × 5)  
0.3 mm  
1
2010-04-27  
12345678

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