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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM5H05TU
SSM5H05TU PDF预览

SSM5H05TU

更新时间： 2024-09-25 04:02:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 266K
描述
DC-DC Converter

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SSM5H05TU 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.35配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM5H05TU 数据手册

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SSM5H05TU  
Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode  
SSM5H05TU  
DC-DC Converter  
Unit: mm  
•
•
Combined Nch MOSFET and Schottky Diode in one package.  
Low R and low V  
DS (ON)  
F
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) MOSFET  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
20  
±12  
1.5  
6.0  
0.5  
0.8  
150  
V
V
DS  
Gate-Source voltage  
V
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
(Note 2)  
(Note 1)  
DP  
P
D
Drain power dissipation  
Channel temperature  
W
t = 10s  
T
ch  
°C  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) SCHOTTKY  
DIODE  
UFV  
JEDEC  
⎯
⎯
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
JEITA  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
15  
12  
V
V
A
RM  
TOSHIBA  
2-2R1A  
V
R
Weight: 7 mg (typ.)  
Average forward current  
I
0.5  
O
Peak one cycle surge forward current  
(non-repetitive)  
I
2 (50 Hz)  
125  
A
FSM  
Junction temperature  
T
j
°C  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) MOSFET, DIODE COMMON  
Characteristics  
Storage temperature  
Operating temperature  
Symbol  
Rating  
−55~125  
−40~85  
Unit  
°C  
T
stg  
T
opr  
°C  
(Note 3)  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu pad: 645 mm2)  
Note 2: The pulse width is limited by max channel temperature.  
Note 3: The operating temperature is limited by max channel temperature and max junction temperature.  
1
2007-11-01  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM5H05TU(TE85L) TOSHIBA

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