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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM5H06FE(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-353VAR |
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| SSM5H06FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-353VAR |
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| SSM5H07TU | TOSHIBA |
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Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode DC-DC Converter |
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| SSM5H08TU | TOSHIBA |
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Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode DC-DC Converter |
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| SSM5H08TU(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1.5A I(D),SOT-353VAR |
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| SSM5H08TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1.5A I(D),SOT-353VAR |
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| SSM5H08TU,LF | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
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| SSM5H10TU | TOSHIBA |
获取价格 |
Bipolar Small-Signal Transistors |
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| SSM5H11TU | TOSHIBA |
获取价格 |
Bipolar Small-Signal Transistors |
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| SSM5H12TU | TOSHIBA |
获取价格 |
DC-DC Converter Applications |
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