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SSC54-M3/9AT

更新时间： 2024-10-28 15:52:51

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威世 - VISHAY		功效瞄准线光电二极管
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描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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SSC54-M3/9AT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.63
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.49 V
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	500 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SSC54-M3/9AT 数据手册

SSC53L-M3, SSC54-M3

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

High-Current Density Surface Mount Schottky Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Guardring for overvoltage protection

• Low power losses, high efficiency

• Very low forward voltage drop

• High surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

DO-214AB (SMC)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

Package

DO-214AB (SMC)

I_F(AV)

5.0 A

V_RRM

30 V, 40 V

175 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AB (SMC)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_FSM

V_F

0.38 V, 0.42 V

150 °C

T_Jmax.

Diode variations

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

Single die

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SSC53L

53L

SSC54

S54

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

Maximum DC blocking voltage

V_DC

Maximum average forward rectified current at T_L(fig. 1)

I_F(AV)

5.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

175

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

T_J

10 000

V/μs

°C

Operating junction temperature range

-65 to +150

Storage temperature range

T_STG

-65 to +150

°C

Revision: 07-Jan-15

Document Number: 89499

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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