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SS8P6CHM3_A/I

更新时间： 2024-11-15 20:08:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 98K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 60V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN

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SS8P6CHM3_A/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：4.45
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：TO-277A
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：50 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SS8P6CHM3_A/I 数据手册

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SS8P5C, SS8P6C  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High Current Density Surface Mount  
Dual Common Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
eSMP® Series  
Available  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
• Ideal for automated placement  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency  
K
• Low thermal resistance  
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
2
LF maximum peak of 260 °C  
• AEC-Q101 qualified available  
- Automotive ordering code: base P/NHM3  
TO-277A (SMPC)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Anode 1  
K
Cathode  
Anode 2  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectifier of switching mode power  
supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters, and  
polarity protection application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 4.0 A  
50 V, 60 V  
120 A  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
Case: TO-277A (SMPC)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
IFSM  
Base P/N-M3  
-
halogen-free, RoHS-compliant, and  
EAS  
20 mJ  
commercial grade  
VF at IF = 4 A  
TJ max.  
0.56 V  
Base P/NHM3  
- halogen-free, RoHS-compliant and  
150 °C  
AEC-Q101 qualified  
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant and  
AEC-Q101 qualified   
Package  
TO-277A (SMPC)  
Diode variations  
Dual common cathode  
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HM3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SS8P5C  
S85C  
50  
SS8P6C  
S86C  
60  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
total device  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
per diode  
8.0  
4.0  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
IFSM  
120  
20  
A
superimposed on rated load  
Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, IAS = 2 A per diode  
Operating junction and storage temperature range  
EAS  
mJ  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Revision: 15-Oct-15  
Document Number: 89028  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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