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SS0140Q_R1_00001

更新时间： 2024-11-12 01:22:59

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强茂 - PANJIT		二极管
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SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SS0140Q_R1_00001 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PBCC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SS0140Q_R1_00001 数据手册

PSS0140Q

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

DFN0603-2L

30 V

0.1 A

Voltage

Current

Features

 Low forward voltage drop

 Deal for automated placement

 Low power loss, high efficiency

 High surge current capability

 Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

 Green molding compound as per IEC 61249 standard

Mechanical Data

 Case: DFN0603-2L Package

 Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

 Approx. Weight: 0.00001 ounces, 0.0004 grams

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25 ^oC unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNITS

Peak to Peak Voltage (Duty 1 %, 10 KHz)

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

V_PK-PK

V_RRM

V_RMS

V_DC

0.1

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

Peak Forward Surge Current: 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

Typical Junction Capacitance

I_F(AV)

I_FSM

C_J

Measured at 1 MHz And Applied V_R= 4V

Typical Thermal Resistance per diode

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

(1)

R_θJA

500

^oC/W

^oC

T_J

-55 to +150

T_STG

November 8,2018-REV.04

Page 1

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