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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1-R, TSSOP28,.53,22 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 11.8 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向引出线： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SRM2A256LLRMX70 | EPSON |
获取价格 |
256K-Bit Static RAM |
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| SRM2A256LLRMX85 | EPSON |
获取价格 |
256K-Bit Static RAM |
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| SRM2A256LLRMX85 | SEIKO |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO28, 8 X 11.80 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-28 |
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| SRM2A256LLTM10 | SEIKO |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO28, 8 X 11.80 MM, PLASTIC, TSOP1-28 |
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| SRM2A256LLTM70 | SEIKO |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 11.80 MM, PLASTIC, TSOP1-28 |
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| SRM2A256LLTMX | EPSON |
获取价格 |
256K-Bit Static RAM |
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| SRM2A256LLTMX10 | EPSON |
获取价格 |
256K-Bit Static RAM |
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| SRM2A256LLTMX10 | SEIKO |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO28, 8 X 11.80 MM, PLASTIC, TSOP1-28 |
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| SRM2A256LLTMX70 | EPSON |
获取价格 |
256K-Bit Static RAM |
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| SRM2A256LLTMX70 | SEIKO |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 11.80 MM, PLASTIC, TSOP1-28 |
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