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SRC1219E

更新时间: 2024-11-01 22:42:47
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 139K
描述
NPN Silicon Transistor

SRC1219E 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
最小直流电流增益 (hFE):30元件数量:1
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.15 W
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SRC1219E 数据手册

 浏览型号SRC1219E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SRC1219E的Datasheet PDF文件第3页 
SRC1219E  
Semiconductor  
NPN Silicon Transistor  
Descriptions  
Switching application  
Interface circuit and driver circuit application  
Features  
With built-in bias resistors  
Simplify circuit design  
Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
High packing density  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
SOT-523  
SRC1219E  
RC  
Outline Dimensions  
unit : mm  
Equivalent Circuit  
1.60±0.1.  
0.80±0.1.  
C(OUT)  
1
2
3
B(IN)  
R1  
R2  
E(COMMON)  
0.15 Min.  
PIN Connections  
1. Base  
2. Emitter  
R1  
4.7K  
R2  
3. Collector  
10KΩ  
KSR-4024-000  
1

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