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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.34 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 74.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFU5505 | INFINEON |
类似代替  |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A) |
|
| IRFR5505TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
Advanced process Technolgy |
|
| IRFR5505PBF | INFINEON |
功能相似 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPU18P06PG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SPU1AM102F11O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
|
| SPU1AM102G12O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
|
| SPU1AM121D07O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
|
| SPU1AM122F12O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
|
| SPU1AM122G12O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
|
| SPU1AM151D07O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
|
| SPU1AM152F14O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
|
| SPU1AM152G12O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
|
| SPU1AM181D08O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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