IRFU5505

更新时间： 2024-11-17 22:18:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A)

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IRFU5505 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFU5505 数据手册

PD - 9.1610B

IRFR/U5505

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel

l Surface Mount (IRFR5505)

l Straight Lead (IRFU5505)

l Advanced Process Technology

l Fast Switching

V_DSS= -55V

R_DS(on)= 0.11Ω

I_D= -18A

l Fully Avalanche Rated

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

device design that HEXFET Power MOSFETs are well

knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient

and reliable device for use in a wide variety of applications.

I-Pa k

D -Pa k

T O -2 52 A A

TO -2 5 1 AA

The D-Pak is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, orwavesolderingtechniques. Thestraight

lead version (IRFU series) is for through-hole mounting

applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are

possible in typical surface mount applications.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-18

-11

-64

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.45

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

± 20

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

150

-9.6

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

5.7

V/ns

-5.0

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

2.2

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB mount)**

Junction-to-Ambient

°C/W

110

8/25/97

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFU5505PBF	INFINEON	类似代替	Ultra Low On-Resistance
SPU18P06P	INFINEON	类似代替	SIPMOS Power-Transistor
IRFR5505TRPBF	INFINEON	功能相似	Advanced process Technolgy

与IRFU5505相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU5505GPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFU5505HR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFU5505PBF	KERSEMI	获取价格	ULTRA LOW ON-RESISTANCE
IRFU5505PBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFU6215	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A)
IRFU6215PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU6215PBF	KERSEMI	获取价格	HEXFETÂ® Power MOSFET
IRFU7440PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET
IRFU9010	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFU9010	VISHAY	获取价格	Transistor

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