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SPI80N06S2L-05

更新时间: 2024-11-15 22:12:07
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页数 文件大小 规格书
8页 418K
描述
OptiMOS Power-Transistor

SPI80N06S2L-05 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-262AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.83Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):800 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.006 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-262AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):300 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SPI80N06S2L-05 数据手册

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SPI80N06S2L-05  
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05  
OptiMOS Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
55  
4.5  
80  
V
DS  
N-Channel  
R
max. SMD version  
mΩ  
A
DS(on)  
Enhancement mode  
Logic Level  
I
D
P- TO262 -3-1  
P- TO263 -3-2  
P- TO220 -3-1  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
2N06L05  
2N06L05  
2N06L05  
SPP80N06S2L-05 P- TO220 -3-1 Q67040-S4246  
SPB80N06S2L-05 P- TO263 -3-2 Q67040-S4256  
SPI80N06S2L-05  
P- TO262 -3-1 Q67060-S7422  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
C
80  
80  
320  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
800  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =80 A , V =25V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
2)  
E
30  
6
Repetitive avalanche energy, limited by T  
Reverse diode dv/dt  
jmax  
AR  
dv/dt  
kV/µs  
I =80A, V =44V, di/dt=200A/µs, T =175°C  
jmax  
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
300  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2003-05-09  

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