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SPI80N08S2-07

更新时间： 2024-11-15 22:22:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
OptiMOS Power-Transistor

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SPI80N08S2-07 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	810 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0074 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPI80N08S2-07 数据手册

SPI80N08S2-07

SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07



OptiMOS Power-Transistor

Product Summary

Feature

7.1

• N-Channel

max. SMD version

mΩ

DS(on)

• Enhancement mode

• 175°C operating temperature

• Avalanche rated

P- TO262 -3-1

P- TO263 -3-2

P- TO220 -3-1

• dv/dt rated

Type

Package

Ordering Code

Marking

2N0807

SPP80N08S2-07

P- TO220 -3-1 Q67040-S4263

P- TO263 -3-2 Q67040-S4264

P- TO262 -3-1 Q67060-S6082

SPB80N08S2-07

SPI80N08S2-07

Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T =25°C

320

Pulsed drain current

D puls

T =25°C

810

Avalanche energy, single pulse

I =80 A , V =25V, R =25Ω

Repetitive avalanche energy, limited by T

Reverse diode dv/dt

jmax

dv/dt

kV/µs

I =80A, V =60V, di/dt=200A/µs, T =175°C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

±20

300

tot

T =25°C

°C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

T , T

-55... +175

55/175/56

stg

Page 1

2003-05-09

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