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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSFM-T2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.6 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 | 最大非重复峰值正向电流： | 180 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 15 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 550 V | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD3060 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 24A, Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN |
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| SPD3060C | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 24A, Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN |
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| SPD3060CA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 24A, Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN |
|
| SPD30N03 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
|
| SPD30N03L | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| SPD30N03S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPD30N03S2L-07_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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| SPD30N03S2L-07G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
|
| SPD30N03S2L07GBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SPD30N03S2L-08 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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