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SPD30N06S2L-13

更新时间: 2024-11-08 22:42:47
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 267K
描述
OptiMOS Power-Transistor

SPD30N06S2L-13 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.29
其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):240 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.017 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SPD30N06S2L-13 数据手册

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SPD30N06S2L-13  
OptiMOS Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
55  
13  
30  
V
DS  
N-Channel  
R
mΩ  
A
DS(on)  
Enhancement mode  
Logic Level  
I
D
P- TO252 -3-11  
175°C operating temperature  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPD30N06S2L-13 P- TO252 -3-11 Q67040-S4254  
2N06L13  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
C
30  
30  
120  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
240  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =30 A , V =25V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
2)  
E
13.6  
6
Repetitive avalanche energy, limited by T  
Reverse diode dv/dt  
AR  
jmax  
dv/dt  
kV/µs  
I =30A, V =44V, di/dt=200A/µs, T =175°C  
jmax  
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
136  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2003-05-09  

SPD30N06S2L-13 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD30N06S2L-13 INFINEON

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