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| 生命周期： | Active | 包装说明： | S-XUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.61 | 最小击穿电压： | 1200 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | S-XUFM-X4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 26 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 20 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPA555MSM | SSDI |
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暂无描述 |
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| SPA555MSMS | SSDI |
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Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 20A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, 1.250 X 1.2 |
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| SPA555MSMTX | SSDI |
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暂无描述 |
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| SPA555MSMTXV | SSDI |
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Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 20A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, 1.250 X 1.2 |
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| SPA555MTX | SSDI |
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Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 20A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, |
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| SPA555MTXV | SSDI |
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Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 20A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, |
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| SPA555N | SSDI |
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20A / 1000 - 1200V SiC SCHOTTKY SINGLE PHASE BRIDGE |
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| SPA555NLS | SSDI |
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Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, |
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| SPA555NLTXV | SSDI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, |
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| SPA555NSM | SSDI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, 1.250 X 1.2 |
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