SP0610

更新时间： 2024-02-02 15:46:08

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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6页	365K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor

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SP0610 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.14	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.13 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	12 pF	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SP0610 数据手册

SIPMOS Small-Signal Transistor

SP 0610L

● V_DS

● I_D

− 60 V

− 0.18 A

● R_DS(on)10 Ω

● P channel

● Enhancement mode

Type

Ordering Code Tape and Reel

Pin Configuration Marking Package

Information

SP 0610 L Q67000-S065

bulk

SP0610L TO-92

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_DS

Values

− 60

Unit

Drain-source voltage

Drain-gate voltage, R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

V_DGR

V_GS

− 60

± 20

Continuous drain current, T_A= 25 ˚C

I_D

− 0.18

− 0.72

0.63

Pulsed drain current,

T_A= 25 ˚C

I_{D puls}

P_tot

Max. power dissipation,

Operating and storage temperature range

T_j, T_stg

− 55 … + 150

˚C

Thermal resistance, chip-ambient

(without heat sink)

R_thJA

≤ 200

K/W

R_thJSR

–

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

–

55/150/56

12 3 4 5 6

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