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SO2369

更新时间: 2024-11-03 22:21:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 48K
描述
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS

SO2369 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.89最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.2 W最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):400 MHz
最大关闭时间(toff):18 ns最大开启时间(吨):12 ns
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

SO2369 数据手册

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BSV52  
SO2369/SO2369A  
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS  
Type  
BSV52  
Marking  
B2  
SO2369  
SO2369A  
N11  
N81  
SILICON EPITAXIALPLANAR NPN  
TRANSISTORS  
MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR  
APPLICATION IN SURFACE MOUNTING  
CIRCUITS  
2
3
1
LOW CURRENT, FAST SWITCHING  
APPLICATIONS.  
SOT-23  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
SO2369/A  
BSV52  
VCES  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Peak Current  
40  
40  
20  
20  
12  
5
V
V
15  
V
4.5  
V
0.2  
200  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
mW  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
1/5  
March 1996  

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