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SNJ54LS670J

更新时间: 2024-09-27 01:13:03
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德州仪器 - TI 静态存储器输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 1071K
描述
4-BY-4 REGISTER FILES WITH 3-STATE OUTPUTS

SNJ54LS670J 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-16针数:16
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:5.27Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T16
长度:19.56 mm内存密度:16 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:16
字数:4 words字数代码:4
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4X4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.05 A
子类别:Other Memory ICs最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:6.92 mm
Base Number Matches:1

SNJ54LS670J 数据手册

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SN54LS670, SN74LS670  
4-BY-4 REGISTER FILES WITH 3-STATE OUTPUTS  
SDLS193 – MARCH 1974 – REVISED MARCH 1988  
Copyright 1988, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 DALLAS, TEXAS 75265  

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