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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-254AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 70 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SNF30509 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SNF30511 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF30616 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SNF30724 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 700V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF30942 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SNF31042 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SNF340SLX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF340TP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF340VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF401002SLP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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