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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-258 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-258AA | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SNF401002TX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SNF401002VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF402005SLP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF402005TX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF402005VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SNF403009TP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SNF403009TX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SNF403009VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SNF404025SLP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF404025TP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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