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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257 |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SNF340VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SNF401002SLP | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SNF401002TP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF401002TX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF401002VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF402005SLP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF402005TX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF402005VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF403009TP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF403009TX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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