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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-258 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-258AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SNF40505VX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SNF40708 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 700V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF40709 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 700V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF41013 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF41013SLP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF41013SLX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF41013TX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF41013VX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SNF431 | KODENSHI |
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Programmable Voltage Reference |
|
| SNF431AS | KODENSHI |
获取价格 |
Programmable Voltage Reference |
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