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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SNFM144RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SNFM152RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNFM152RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNFM155RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.83ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNFM155RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.83ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNFM163RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNFM165RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNFM231RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.773ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNFM231RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.773ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNFM234RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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