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SN74LVC3G04DCTRE4 PDF预览

SN74LVC3G04DCTRE4

更新时间： 2024-02-23 14:04:29
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
16页 851K
描述
Triple Inverter Gate 8-SM8 -40 to 125

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SN74LVC3G04DCTRE4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：LSSOP, SSOP8,.16
针数：8Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.6
系列：LVC/LCX/ZJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：2.95 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
最大I（ol）：0.024 A湿度敏感等级：1
功能数量：3输入次数：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：SSOP8,.16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：4.1 ns传播延迟（tpd）：7.9 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.3 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：2.8 mm
Base Number Matches：1

SN74LVC3G04DCTRE4 数据手册

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SN74LVC3G04  
www.ti.com  
SCES363L –AUGUST 2001–REVISED NOVEMBER 2013  
Triple Inverter Gate  
Check for Samples: SN74LVC3G04  
1
FEATURES  
DESCRIPTION  
This triple inverter is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC  
operation. The SN74LVC3G04 device performs the  
Boolean function Y = A.  
2
•
Available in the Texas Instruments NanoFree™  
Package  
•
•
•
•
•
•
Supports 5-V VCC Operation  
NanoFree™ package technology is  
a
major  
Inputs Accept Voltages to 5.5 V  
Max tpd of 4.1 ns at 3.3 V  
breakthrough in IC packaging concepts, using the die  
as the package.  
Low Power Consumption, 10-µA Max ICC  
±24-mA Output Drive at 3.3 V  
This device is fully specified for partial-power-down  
applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the  
outputs, preventing damaging current backflow  
through the device when it is powered down.  
Typical VOLP (Output Ground Bounce)  
<0.8 V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C  
•
•
•
Typical VOHV (Output VOH Undershoot)  
>2 V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C  
Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-  
Down Mode, and Back-Drive Protection  
Can Be Used as a Down Translator to  
Translate Inputs From a Max of 5.5 V Down to  
the VCC Level  
•
•
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
ESD Protection Exceeds JESD 22  
–
–
–
2000-V Human-Body Model (A114-A)  
200-V Machine Model (A115-A)  
1000-V Charged-Device Model (C101)  
DCT PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DCU PACKAGE  
(TOP VIEW)  
YZP PACKAGE  
(BOTTOM VIEW)  
4 5  
2Y  
3A  
1Y  
GND  
2A  
1A  
3Y  
VCC  
1Y  
1
2
3
4
8
7
6
5
3 6  
1
2
8
7
1A  
3Y  
VCC  
1Y  
2
7
3Y  
1A  
1 8  
V
CC  
2A  
3A  
GND  
2Y  
3
4
6
5
2A  
3A  
2Y  
GND  
See mechanical drawings for dimensions.  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
2
NanoFree is a trademark of Texas Instruments.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2001–2013, Texas Instruments Incorporated  
 
1234567...16

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SN74LVC3G04DCTRE4 替代型号

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