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SN74LVC3G04YEAR PDF预览

SN74LVC3G04YEAR

更新时间： 2024-09-28 22:06:35
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
12页 317K
描述
TRIPLE INVERTER GATE

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SN74LVC3G04YEAR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DSBGA包装说明：VFBGA, BGA8,2X4,20
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：8.51
系列：LVC/LCX/ZJESD-30 代码：R-XBGA-B8
JESD-609代码：e0长度：1.9 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
最大I（ol）：0.024 A湿度敏感等级：1
功能数量：3输入次数：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA8,2X4,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：4.1 ns
传播延迟（tpd）：7.9 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：0.5 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：0.9 mmBase Number Matches：1

SN74LVC3G04YEAR 数据手册

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SCES363H − AUGUST 2001 − REVISED SEPTEMBER 2003  
DCT OR DCU PACKAGE  
(TOP VIEW)  
D
Available in the Texas Instruments  
NanoStarand NanoFreePackages  
D
D
D
D
D
D
Supports 5-V V  
Operation  
CC  
1
2
3
4
1A  
3Y  
2A  
V
CC  
8
7
6
5
Inputs Accept Voltages to 5.5 V  
1Y  
3A  
2Y  
Max t of 4.1 ns at 3.3 V  
pd  
Low Power Consumption, 10-µA Max I  
GND  
CC  
24-mA Output Drive at 3.3 V  
YEA, YEP, YZA, OR YZP PACKAGE  
(BOTTOM VIEW)  
Typical V  
<0.8 V at V  
(Output Ground Bounce)  
= 3.3 V, T = 25°C  
OLP  
CC  
A
D
D
D
D
Typical V  
(Output V  
Undershoot)  
4 5  
3 6  
2 7  
1 8  
GND  
2A  
3Y  
2Y  
3A  
1Y  
OHV  
OH  
>2 V at V  
= 3.3 V, T = 25°C  
CC  
A
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
Operation  
1A  
V
CC  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
ESD Protection Exceeds JESD 22  
− 2000-V Human-Body Model (A114-A)  
− 200-V Machine Model (A115-A)  
− 1000-V Charged-Device Model (C101)  
description/ordering information  
This triple inverter is designed for 1.65-V to 5.5-V V  
function Y = A.  
operation. The SN74LVC3G04 performs the Boolean  
CC  
ORDERING INFORMATION  
ORDERABLE  
PART NUMBER  
TOP-SIDE  
MARKING  
†
T
A
PACKAGE  
‡
NanoStar− WCSP (DSBGA)  
0.17-mm Small Bump − YEA  
SN74LVC3G04YEAR  
SN74LVC3G04YZAR  
SN74LVC3G04YEPR  
SN74LVC3G04YZPR  
NanoFree− WCSP (DSBGA)  
0.17-mm Small Bump − YZA (Pb-free)  
Reel of 3000  
_ _ _CC_  
NanoStar− WCSP (DSBGA)  
0.23-mm Large Bump − YEP  
−40°C to 85°C  
NanoFree− WCSP (DSBGA)  
0.23-mm Large Bump − YZP (Pb-free)  
SSOP − DCT  
Reel of 3000  
Reel of 3000  
SN74LVC3G04DCTR  
SN74LVC3G04DCUR  
C04_ _ _  
C04_  
VSSOP − DCU  
Reel of 250  
SN74LVC3G04DCUT  
†
‡
Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at  
www.ti.com/sc/package.  
DCT: The actual top-side marking has three additional characters that designate the year, month, and assembly/test site.  
DCU: The actual top-side marking has one additional character that designates the assembly/test site.  
YEA/YZA, YEP/YZP: The actual top-side marking has three preceding characters to denote year, month, and sequence code,  
and one following character to designate the assembly/test site. Pin 1 identifier indicates solder-bump composition  
(1 = SnPb, • = Pb-free).  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NanoStar and NanoFree are trademarks of Texas Instruments.  
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Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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SN74LVC3G04YEAR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN74LVC3G04YEPR TI

完全替代

 TRIPLE INVERTER GATE
SN74LVC3G04YZAR TI

完全替代

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