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SN74LS670DRE4

更新时间: 2024-11-21 15:52:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 1085K
描述
IC 4 X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO16, GREEN, PLASTIC, MS-012, SOIC-16, Static RAM

SN74LS670DRE4 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP16,.25针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.51
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G16长度:9.9 mm
内存密度:16 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:16字数:4 words
字数代码:4工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4X4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP16,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm子类别:Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

SN74LS670DRE4 数据手册

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SN54LS670, SN74LS670  
4-BY-4 REGISTER FILES WITH 3-STATE OUTPUTS  
SDLS193 – MARCH 1974 – REVISED MARCH 1988  
Copyright 1988, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 DALLAS, TEXAS 75265  

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