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SN74LS670DRG4

更新时间: 2024-11-21 15:52:19
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 923K
描述
Standard SRAM, 4X4, 45ns, TTL, PDSO16, GREEN, PLASTIC, MS-012, SOIC-16

SN74LS670DRG4 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.75Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G16
JESD-609代码:e4长度:9.9 mm
内存密度:16 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:16字数:4 words
字数代码:4工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4X4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
座面最大高度:1.75 mm最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

SN74LS670DRG4 数据手册

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SN54LS670, SN74LS670  
4-BY-4 REGISTER FILES WITH 3-STATE OUTPUTS  
SDLS193 – MARCH 1974 – REVISED MARCH 1988  
Copyright 1988, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 DALLAS, TEXAS 75265  

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