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SN74LS603ADWR

更新时间: 2024-11-28 21:09:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 202K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20

SN74LS603ADWR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.68JESD-30 代码:R-PDSO-G20
长度:12.8 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:1
功能数量:1端子数量:20
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.65 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1

SN74LS603ADWR 数据手册

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