SMTHBT200

更新时间： 2024-01-28 08:20:38

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		触发装置硅浪涌保护器光电二极管
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描述
TRISILTM FOR LINE CARD PROTECTION

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SMTHBT200 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大转折电压：	265 V
配置：	SINGLE	最大维持电流：	150 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e0
通态非重复峰值电流：	55 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

SMTHBT200 数据手册

SMTHBT200

TRISIL

FOR LINE CARD PROTECTION

FEATURES

BIDIRECTIONALCROWBAR PROTECTION

REPETITIVEPEAK PULSE CURRENT:

I_PP= 100 A (10/1000µs)

HOLDING CURRENT: I_H= 150 mA

BREAKDOWNVOLTAGE : 200V min

BREAKOVERVOLTAGE : 265V max

SMC

DESCRIPTION

SCHEMATIC DIAGRAM

This protection device has been especially

designed to protect subscriber line cards using

SLICS without integrated ring generators.

The SMTHBT200 device protects ring

generator

relays

against

transient

INACCORDANCE WITH THE FOLLOWINGSTANDARDS :

- CCITT K20:

- VDE 0433:

- VDE 0878:

10/700 µs

5/310 µs

10/700 µs

5/310 µs

1.2/50 µs

1/20 µs

4 kV

100 A

4 kV

100 A

4 kV

100 A

- FCC Part 68:

BELLCORETR-NWT-001089:

2/10 µs

2/10 s

2.5 kV

500 A

- BELLCORETR-NWT-000974: 10/1000 s

1 kV

100 A

10/1000 s

August 1999 - Ed : 3A

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