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SMK2-67025EV-45SB

更新时间： 2024-11-26 03:31:35

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爱特美尔 - ATMEL		/
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27页	528K
描述
Rad. Tolerant High Speed 8 Kb x 16 Dual Port RAM

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SMK2-67025EV-45SB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	QFF, QFL84,1.2SQ
针数：	84	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.45	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-XQFP-F84
JESD-609代码：	e0	长度：	29.21 mm
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	84
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	QFF	封装等效代码：	QFL84,1.2SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.89 mm	最大待机电流：	0.00002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	29.21 mm	Base Number Matches：	1

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Features

• Fast Access Time: 30/45 ns

• Wide Temperature Range: -55°C to +125°C

• Separate Upper Byte and Lower Byte Control for Multiplexed Bus Compatibility

• Expandable Data Bus to 32 bits or More Using Master/Slave Chip Select When Using

More Than One Device

• On-chip Arbitration Logic

• Versatile Pin Select for Master or Slave:

– M/S = H for Busy Output Flag On Master

– M/S = L for Busy Input Flag On Slave

• INT Flag for Port to Port Communication

• Full Hardware Support of Semaphore Signaling Between Ports

• Fully Asynchronous Operation From Either Port

• Battery Back-up Operation: 2V Data Retention

• TTL Compatible

Rad. Tolerant

High Speed

8 Kb x 16

• Single 5V + 10% Power Supply

• QML Q and V with SMD 5962-91617

Dual Port RAM

Introduction

The M67025E is a very low power CMOS dual port static RAM organized as 8192 bit

× 16. The product is designed to be used as a stand-alone 16-bit dual port RAM or as

a combination MASTER/SLAVE dual port for 32-bit or more width systems. The Atmel

MASTER/SLAVE dual port approach in memory system applications results in full

speed, error free operation without the need of an additional discrete logic.

M67025E

Master and slave devices provide two independent ports with separate control,

address and I/O pins that permit independent, asynchronous access for reads and

writes to any location in the memory. An automatic power down feature controlled by

CS permits the on-chip circuitry of each port in order to enter a very low stand by

power mode.

Using an array of eight transistors (8T) memory cell, the M67025E combines an

extremely low standby supply current (typ = 1.0 µA) with a fast access time at 30 ns

over the full temperature range. All versions offer battery backup data retention capa-

bility with a typical power consumption at less than 5 µW.

For military/space applications that demand superior levels of performance and reli-

ability the M67025E is processed according to the methods of the latest revision of the

MIL PRF 38635 (Q and V) and/or ESA SCC 9000.

Rev. 4146J–AERO–06/03

12 3 4 5 6 7...27

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMK2-67025EV-45SV	TEMIC	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, 0.050 INCH, MQFP-84
SMK316AB7333KL8T	TAIYO YUDEN	获取价格	Medium-High Voltage MLCC for Telecommunications infrastructure and Industrial equipment /
SMK316AB7333KLHT	TAIYO YUDEN	获取价格	Medium-High Voltage Multilayer Ceramic Capacitors for Automotive (BODY & CHASSIS, INFOTAIN
SMK316AB7333KL-T	TAIYO YUDEN	获取价格	Medium-High Voltage Multilayer Ceramic Capacitors
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