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SMK0260IS

更新时间： 2024-01-18 11:35:03

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可天士 - KODENSHI		/
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描述
SWWITCHINNGREGGULATOORAPPLICATIOON

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SMK0260IS 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	4.7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SMK0260IS 数据手册

SMK0260IS

Advanced N-Ch Power MOSFET

SWITCHING REGULATOR APPLICATION

Features

• Drain-Source breakdown voltage: BV_DSS=600V (Min.)

• Low gate charge: Q_g=7nC (Typ.)

• Low drain-source On resistance: R_DS(on)=3.9Ω (Typ.)

• 100% avalanche tested

• RoHS compliant device

Ordering Information

G D S

Part Number

SMK0260IS

Marking

Package

I-PAK

(Short Lead)

I-PAK

SMK0260

Marking Information

SMK

0260

YWW

Column 1, 2: Device Code

Column 3: Production Information

e.g.) YWW

-. Y: Year Code

-. WW: Week Code

Absolute maximum ratings (T_C=25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

V_DSS

V_GSS

600

±30

Gate-source voltage

Drain current (DC) ^*

T_c=25°C

I_D

1.35

T_c=100°C

Drain current (Pulsed) ^*

I_DM

I_AS

Avalanche current ^{(Note 2)}

Single pulsed avalanche energy ^{(Note 2)}

Repetitive avalanche current ^{(Note 1)}

Repetitive avalanche energy ^{(Note 1)}

Power dissipation

E_AS

I_AR

130

E_AR

P_D

5.6

150

°C

Junction temperature

T_J

Storage temperature range

T_stg

-55~150

* Limited only maximum junction temperature

Rev. date: 12-MAR-13

KSD-T6Q018-000

www.auk.co.kr

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