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SMJ69CE288-35JD

更新时间: 2024-11-06 20:10:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
IC,SRAM,32KX9,CMOS,DIP,32PIN,CERAMIC

SMJ69CE288-35JD 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP32,.6Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T32
内存密度:294912 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9端子数量:32
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMJ69CE288-35JD 数据手册

  
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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