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SMC9-65608EV-30SB

更新时间： 2024-11-02 03:24:35

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爱特美尔 - ATMEL		静态存储器
页数	文件大小	规格书
15页	337K
描述
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM

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SMC9-65608EV-30SB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.4
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.55	最长访问时间：	30 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e0	长度：	40.64 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B	座面最大高度：	4.32 mm
最大待机电流：	0.00015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	30k Rad(Si) V	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

SMC9-65608EV-30SB 数据手册

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Features

• Operating Voltage: 5V

• Access Time: 30, 45 ns

• Very Low Power Consumption

– Active: 250 mW (Typ)

– Standby: 1 µW (Typ)

– Data Retention: 0.5 µW (Typ)

• Wide Temperature Range: -55°C to +125°C

• 400 Mils Width Packages: FP32 and SB32

• TTL Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

• Single 5V Supply

• Equal Cycle and Access Time

• Gated Inputs:

Rad. Tolerant

128K x 8

– No Pull-up/down

Very Low Power

5V CMOS SRAM

– Resistors Are Required

• QML Q and V with SMD 5962-89598

• ESCC B with Specification 9301/047

Description

M65608E

The M65608E is a very low power CMOS static RAM organized as 131072 x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the M65608E combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time

at 30 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell pro-

vides excellent protection against soft errors due to noise.

The M65608E is processed according to the methods of the latest revision of the MIL

STD 883 (class B or S), ESA SCC 9000 or QML.

Rev. 4151I–AERO–03/04

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMC9-65608EV-30SC	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32
SMC9-65608EV-45SB	ATMEL	获取价格	Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM
SMC9-65608EV-45SC	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32
SMC9-65608V-30	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,
SMC9-65608V-30/883	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,
SMC9-65608V-30:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,
SMC9-65608V-30EHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,
SMC9-65608V-30EHXXX:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32
SMC9-65608V-30FHXXX	TEMIC	获取价格	暂无描述
SMC9-65608V-30FHXXX:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,

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